碳化硅 （Silicon carbide），化学式为 SiC ，分子量40.1。化学式虽然简单，但是其应用广泛，这是由碳化硅的结构决定的。 结构={组元，组元间的关系} 碳化硅是一种组成简单的物质，组元就是碳原子和硅原子。

All symbols in the SiC structures have a specific meaning: The number 3 in 3C-SiC refers to the three-bilayer periodicity of the stacking (ABC) and the letter C denotes the cubic symmetry of the crystal. 3C-SiC is the only possible cubic polytype.

迄今为止，被确认的SiC多型结构已超过200多种，常见的有 3C-SiC 、 4H-SiC 、 6H-SiC 和 15R-SiC 等。 其中，唯一具有立方等轴结构的3C-SiC也叫 立方碳化硅 。 立方碳化硅又名 β-SiC ，属立方晶系。

2018年5月1日 · Cubic silicon carbide (3C-SiC) is the only possible cubic structure, which is obtained when the bilayer stacking is ABCABC… resulting in a pure zinc-blende structure. The various polytypes vary greatly in their physical properties.

2024年1月11日 · 与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC (3C-SiC)具有更高的载流子迁移率 (2-4倍)、低的界面缺陷态密度 (低1个数量级)和高的电子亲和势 (3.7 eV)。 利用3C-SiC制备场效应晶体管，可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。 但3C-SiC基晶体管进展缓慢，主要是缺乏单晶衬底。 前期大量研究表明，3C-SiC在生长过程中很容易发生相变，已有的生长方法不能获得单一晶型的晶体。 根据经典晶体生长理论，对于光滑界面晶体，同质二维形核需要克服 …

Cubic silicon carbide (3C-SiC) has superior mobility and thermal conduction over that of widely applied hexagonal 4H-SiC. Moreover, much lower concentration of interfacial traps between insulating oxide gate and 3C-SiC helps fabricate reliable and long-life devices like metal-oxide-semiconductor field effect transistors.

2024年3月27日 · 由此可见，3C-SiC是一种用于制备600 V至1200 V中压范围内MOSFET器件的理想材料。 图2 功率半导体在3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC和硅上的能带结构（图示了与SiO2的能带偏移） 4H-SiC具有高电子迁移率、低导通电阻和高电流密度，适用于功率电子器件。 6H-SiC具有稳定的结构和良好的发光性能，适用于光电子器件。 3C-SiC具有高饱和电子漂移速度和仅次于金刚石单晶的热导率，适用于高频和高功率器件。 更多SiC晶片信息或疑问，请邮件咨询： …

2023年10月9日 · 文章讨论了3C-SiC,4H-SiC和6H-SiC三种不同晶格结构的碳化硅半导体材料，强调它们在电子速度、杂质影响、设备可靠性和应用领域的差异。 4H-SiC和6H-SiC因具有更好的成本效益和稳定性，常用于高功率和光电子设备，而3C-SiC的高电子速度但易受杂质影响的特点限制 …

Silicon carbide (SiC) is the only known naturally stable group-IV semiconducting compound crystallizing in a large number of polytypes [1].

2023年12月31日 · 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表，属于III-V族化合物，是无色透明的晶体，实际产业应用中，因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色。 SiC晶体呈现 多态，有200多种晶体结构，区别在于每对Si-C原子堆垛次序不同。 在沿密排方向原子堆垛过程中，由于沿晶轴方向每对Si-C原子层可以有各种不同的堆垛次序，从而构成了大量不同的Si-C原子层周期结构的SiC多型体。 每对连贯的Si-C原子层在原有的Si-C原子层上以密排形式堆 …