DRAM，全称为 Dynamic Random Access Memory ，中文名是“ 动态随机存取存储器 ”。 所谓“动态”是和“静态”相对应的，芯片世界里还有一种 SRAM 静态随机存取存储器的存在。 笼统地说，DRAM 的结构比 SRAM 更简单，面积占用更小， 适合制作大容量的存储芯片；而 SRAM 结构复杂一些，一般使用六个晶体管，面积消耗大，但是读写速度快，而且因为 SRAM 只用到晶体管，所以在工艺上和逻辑芯片相兼容，我们可以在逻辑芯片上直接集成 SRAM 。 因为 DRAM 结构 …

2025年1月10日 · This method allows for the simultaneous fabrication of two damage-free MoS 2 transistors to form a capacitorless 2T0C DRAM cell, enhancing compatibility with 2D materials. The ultralow leakage current optimizes data retention and power efficiency.

2023年7月24日 · 3D DRAM 是将存储单元（Cell）堆叠至逻辑单元上方以实现在单位晶圆面积上产出上更多的产量，相较于普通的平面DRAM，3D DRAM可以有效降低 DRAM的单位成本。 三、制程发展趋势. DRAM当前处于10nm阶段，1Znm为最新量产技术。

2D DRAM（二维动态随机存取存储器）是一种常见的内存类型，它是计算机系统wk.baidu.com用于存储数据和指令的重要组成部分。 它的原理可以从多个角度来解释。

2021年6月7日 · In this work, we propose a circuit architecture that integrates monolayer MoS 2 transistors in a two-transistor–one-capacitor (2T-1C) configuration. In this structure, the memory portion is similar...

实际上3D NAND的制作过程其实也并不复杂，总结下来就两个关键步骤—— 刻蚀 和 沉积。 不过在刻蚀和沉积之前，需要先做叠层结构。 下面以三星48L V-NAND为例，简单介绍3D NAND的制作过程。 关于叠层需要补充说明的是，V-NAND是 Channel First工艺，意思就是Control Gate (W)后做，叠层是SiN/SiO/SiN/SiO...而BiCS是 Gate First工艺，叠层是SiO/W/SiO/W/SiO/W...不过等等，54层是因为上下各有3层Dummy。 叠层做好之后进行刻蚀。 刻蚀的工艺有以下几点需要考 …

2024年11月12日 · In this work, a heterogenous GC-eDRAM with two-transistors (2T-eDRAM) is demonstrated. The MoS 2 is introduced to replace Si and serves as the channel material of the write transistor, Which offers...

CACTI-3DD [13] is an architecture-level integrated power, area, and timing modeling framework for new memory technologies such as 3D-stacked memories in addition to commodity 2D DRAM and caches...

2025年4月3日 · Simplicity: 2D memory organization is a simple and straightforward approach, with memory chips arranged in a two-dimensional grid. Cost-Effective: 2D memory organization is cost-effective, making it a popular choice for many low-power and low-cost devices.

2024年2月6日 · DRAM的优势是存储密度高于SRAM，适合数据中心等处理大容量模型的场景；但与CMOS工艺不兼容，访存性能和能效不如SRAM，其次设计需要DRAM vendor的支持。 基于DRAM的存算技术路线大致有四类，具体如下：