1t-dram使用体硅来积累硅薄膜中的多余的空穴载流子，1t-dram的存储单元可以根据过剩载流子产生的机制分为不同的组，这些额外的载流子主要通过四种机制来实现：1）碰撞电离；2）双极 …

2021年4月28日 · 本文详细介绍了DRAM的存储原理，包括1T1C和3T1C结构，以及存储电容的堆电容和沟电容两种类型。 DRAM的存储依赖于电容中的电荷，需要定期刷新以保持信息。 此 …

2002年8月7日 · A simple true 1 transistor dynamic random access memory (DRAM) cell concept is proposed for the first time, using the body charging of partially-depleted SOI devices to store …

2020年1月30日 · This article reviews the status, the challenges, and the perspective of 1T-1C dynamic random access memory (DRAM) chip. The basic principles of the DRAM are …

Dynamic random-access memory (dynamic RAM or DRAM) is a type of random-access semiconductor memory that stores each bit of data in a memory cell, usually consisting of a …

2022年7月11日 · 1T-DRAM主要采用的机理有四种分别是离子碰撞、Bipolar结构、BTBT机制和栅极隧穿电流机制，通过这四种机制向体浮体中注入电子，再通过检测漏极电流来判断存储的 …

2024年2月22日 · A novel single-transistor dynamic random access memory (1T-DRAM) named IS-DRAM (in-situ sensing DRAM) which combines non-destructive reading with compact …

DRAM（dynamic random access memory）中文称为动态随机存储。 现在市场主流的器件结构是 1T-1C结构，即由一个 transistor 和一个 capacitor 组成。 当然也有其他结构，后续再说。 1T …

2024年3月4日 · 近日，复旦大学信息学院万景研究员课题组创新性地发明了一种单晶体管无电容结构的动态随机存取存储器单元（1T-DRAM），命名为IS-DRAM (in-situ sensing DRAM，原位 …

• 1T/1C-DRAM cells: does not scale below 100 nm • SOI DRAM = true 1T-DRAM = 4F2 cell • Exploits Floating Body charging of PD SOI-MOSFETs • No capacitor, no new materials, no …