2013年9月15日 · We review here a high vacuum chemical vapour deposition (HV-CVD) method, which can be considered as a hybrid technique between classical low pressure chemical vapour deposition (LP-CVD) and molecular beam epitaxy (MBE). The principal features of HV-CVD are summarized and its main differences from other techniques analysed.

2017年4月24日 · HV-CVD is a thin film deposition technique based on adsorption and subsequent surface reactions of precursor molecules on a heated substrate in a high vacuum environment (≈10 −6 hPa base pressure). Despite the naming, it is to be clearly distinguished from low pressure or atmospheric CVD processes.

常见cvd包括以下三种. 1.apcvd. 常压化学气相沉积 （ap-cvd），是指在大气压及400~800℃下温度进行反应，用于制备单晶硅、多晶硅、二氧化硅、掺杂sio2等薄膜。 2.lpcvd. 低压化学气相沉积 （lp-cvd），是指用于90nm以上工艺中sio2和psg/bpsg、氮氧化硅、多晶硅、si3n4等薄膜 ...

气源分子束外延GSMBE、高真空化学气相沉积HVCVD. 金属有机物分子束外延MOMBE、激光辅助沉积、化学束外延. 融合了MBE和CVD优点，适合生长III-V族半导体薄膜，可以用于Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜沉积, 以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3, 超导氧化物, TiO2, Al2O3, 掺铒Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。 A – 高真空化学气相沉积系统由下列基本单元组成: 1. 热漆外框架和挡板. 2. 含液氮冷阱的温控反应腔体. 3. 样品台和衬底加热系统用 …

气源分子束外延GSMBE、高真空化学气相沉积HVCVD. 金属有机物分子束外延MOMBE、激光辅助沉积、化学束外延. 融合了MBE和CVD优点，适合生长III-V族半导体薄膜，可以用于Si, Si x Ge 1-x, FeSi 2 薄膜沉积, 以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO 3, 超导氧化物, TiO 2, Al 2 O 3, 掺铒Al 2 O 3, Y 2 O 3, CdO, HfO 2, LiNbO 3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO 2 等。 A – 高真空化学气相沉积系统由下列基本单元组成: 1. 热漆外框架和挡板. 2. 含液氮冷阱的温控反应腔体. 3. 样品台和衬底加热系 …

化学气相沉积 (CVD) 是半导体工业中常用的在晶片基板顶部生长高纯度固体材料层的工艺。 使用许多不同的技术在从大气压到超高真空 (UHV/CVD) 的压力范围内实现 CVD。 UHV/CVD 在低于 10-6 Pa (10-8 Torr) 的压力下进行，因此气体传递是通过分子流实现的，并且不存在任何流体动力学效应，例如边界层。 另外，由于分子碰撞频率较低，也不涉及气相化学，因此生长速率将由物质数密度和表面分子分解过程决定。 此模型采用多种物质、自由分子流来模拟硅晶片的生长， …

2025年3月17日 · Synthesizing high-quality epitaxial BaTiO3 (BTO) by means of high-vacuum chemical vapor deposition (HV-CVD) requires a precise control over precursor fluxes impinging onto the heated substrate surface so that the incorporation rates of all elements correspond to the BTO film stoichiometry.

2008年1月15日 · In a novel high-vacuum chemical vapor deposition setup the alumina films are grown with high homogeneity on 4 in. wafers with well controlled growth rate, chemical composition, and high deposition rates of up to 20 nm/min. The HV-CVD applies thermal decomposition of aluminum-isopropoxide with or without …

2025年1月2日 · CVD (chemical vapor deposition 化学气相沉积):利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。 具体的有如MO CVD （金属氧化物～）和PE CVD （等离子体增强～） 3.Datasheet (规格/说明书) : 总结产品、机器、部件（例如 …

2010年12月3日 · Combinatorial high-vacuum chemical vapor deposition (HV-CVD) was used to identify the conditions required to obtain hafnium-doped lithium niobate thin films on sapphire {001} substrates. Niobium tetraethoxydimethylaminoethoxide (Nb(OEt) 4 (dmae)), lithium tert-butoxide (Li(OBu t)), and hafnium tert-butoxide (Hf(OBu t) 4) were used as precursors ...