2025年3月26日，杭州万高科技股份有限公司在科技界引发轰动，其最新取得的专利“一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法”不仅展示了其在半导体领域的前沿技术，更将为智能设备市场带来深远影响。作为一家创新型科技企业，万高在计算架构方面的突破，意味着未来的智能设备将拥有更快速、更高效的运算能力，为用户提供更好的体验。

在高科技领域的激烈竞争中，杭州万高科技股份有限公司（成立于2006年）凭借其最新取得的专利，再次向外界展示了其创新实力。2024年11月，该公司成功申请了名为“一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法”的专利（授权公告号CN119152906B），为未来科技的发展提供了新的思路与解决方案。

and NEC Electronics (Europe) GmbH, today introduced two new technologies for the manufacture of 40-nanometer (nm) system-on-chip (SoC) devices with embedded dynamic random access memory (eDRAM). The ...

and NEC Electronics (Europe) GmbH, today announced its new metal insulator metal (MIM) technology for 90 nanometer (nm) embedded DRAM (eDRAM), called MIM2. In addition, to meet the technical ...