当前，欧洲一家领先的科技试验线正在公开征集下一代10纳米和7纳米FD-SOI技术的设计项目。FD-SOI技术在欧洲处于世界领先水平，其具备的超低功耗能力，适用于数字、模拟和射频（RF）设计。在未来两年内，若能从现有的22纳米工艺技术，逐步过渡到高产量的300毫米晶圆上的10纳米工艺，进而迈向7纳米工艺，无疑将显著增强欧洲半导体公司的竞争力。

欧洲先进FD-SOI中试线项目FAMES近日宣布了一项重要计划，旨在征集采用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。这一消息由法国媒体ECInews率先报道，引起了业界的广泛关注。 据FAMES项目的协调员Dominique Noguet介绍，基于10nm FD-SOI工艺的测试芯片有望在2027年面世。这一制程节点将借助193nm ...