Si SBD耐压一般在200V以下，而耐压在600V以上的SiC SBD产品已广泛产品化。SiC SBD的某些产品具有3300V的耐压。半导体器件的击穿电压与半导体漂移层的 ...

说白了，这项技术的突破不仅仅是扬杰科技的一次胜利，更是整个半导体行业的一大进步。今年以来，扬杰科技新获得专利授权27个，较去年同期增加了17.39%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。这些数字的背后，是企业对技术创新的不懈追求。

在电动汽车行业迅猛发展的背景下，宏微科技（股票代码：688711.SH）宣布其最新进展：车规级1200V硅碳（SiC）自研模块正在紧锣密鼓地研制之中。这一具有颠覆性意义的技术突破，标志着宏微科技在第三代半导体领域又迈出了坚实的一步，给整个新能源汽车市场带来新的活力和竞争力。

同时，1200v sic mosfet芯片研制成功并已通过可靠性验证并实现小批量出货；自主研发的sic sbd（肖特基势垒二极管）芯片通过多家终端客户可靠性验证 ...

瞻芯电子的碳化硅MOSFET、SBD、驱动IC三大产品均已完成车规级认证，获得多家下游行业龙头认可和大规模应用。2022年自主建设的SiC晶圆厂已建成投产 ...

瞻芯电子的碳化硅MOSFET、SBD、驱动IC三大产品均已完成车规级认证，获得多家下游行业龙头认可和大规模应用。2022年自主建设的SiC晶圆厂已建成投产 ...