在IIC Shanghai 2025期间举办的“2025国际绿色能源生态发展峰会”上，瑞能半导体碳化硅首席应用工程师李金晶发表了“SiC MOS的关键特性和驱动设计要点”主题演讲 随着全球对高效能和可持续能源解决方案的需求不断增长，SiC MOS技术凭借其在高效率、高温性能及 ...

随着功率半导体IGBT，SiC MOSFET技术的发展和系统设计的优化， 电平位移 驱动电路应用场景越来越广，电压从600V拓展到了1200V。英飞凌1200V 电平位移 型颈驱动芯片电流可达+/-2.3A，可驱动中功率IGBT，包括Easy系列模块。目标10kW+应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机。本文就来介绍一个 设计案例 ，采用 电平位移 驱动器碳化硅SiC ...

现代功率半导体（包括 SiC JFET、SiC MOSFET、场截止 IGBT ... 失配导致的动态电流失配 动态电流失配是由MOS栅控器件和JFET器件固有的器件间阈值电压 ...

近期，侃见财经走进国内最大的车规级IGBT芯片、SiC MOS、MEMS传感器芯片制造企业芯联集成，并且深入地了解了这家公司。 相关资料显示，芯联集成 ...

金融界3月24日消息，有投资者在互动平台向 中瓷电子 （ 003031 ）提问：贵公司国联万众的1700V SiC二极管和MOS产品是否有供货给高压平台配套的充电桩系统公司？有供货给 比亚迪 （ 002594 ），小米，问界等车企么？

目前，晶能微电子已成功研发并应用多款芯片与模组，包括Si基MOS、IGBT、FRD及SiC基MOS等，广泛服务于电动交通工具、风光储充及机器人等新能源领域。