动态电流失配 图2 阈值电压失配导致的动态电流失配 动态电流失配是由MOS栅控器件和JFET器件固有的器件间阈值电压变化、电流环路的不对称性 ...

虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎··· 众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极 ...