来自MSN4 个月
消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙
更多的 DRAM Die 层数意味着 HBM4 16Hi 需要进一步地压缩层间间隙，以保证整体堆栈高度维持在 775 μm（IT之家注：即 0.775 mm）的限制内。 在这一背景下 ...