可以设想“2D”或“真正的 3D”堆叠。通过2D 堆叠，将具有“平面” DRAM 存储器阵列的几层堆叠在一起。通过3D 堆叠，组成 2T0C 位单元的晶体管被 ...

相较现有 2D DRAM 结构，堆叠 DRAM 可充分利用 z 方向空间，在较小面积中容纳更多存储单元，单芯片容纳提升至 100G 以上。 3D DRAM 市场有望于 2028 年 ...

“Unlike the traditional 2D Floating Body Cell that uses body effect to change the cell current, our BCM mechanism employs a back-gate voltage to modulate the channel depth. This patented invention ...