在报道中，外媒还提到，在1b DRAM出现良品率和过热的问题之后，三星电子曾打算采用1a DRAM，也就是1b DRAM的前一代，制造HBM3E，在HBM4上则是跳过1b DRAM ...

三星原本计划使用1a DRAM（1b DRAM的前代产品）制造8层和12层HBM3E，并跳过1b DRAM直接使用1c DRAM制造HBM4。 然而英伟达坚持要求使用1b DRAM，三星不得不 ...

值得一提的是，DRAM内存行业的节点工艺一直不标注具体nm数值，而是1a、1b、1c，或者1α、1β、1γ这样的迭代顺序，其中1a比较接近20nm，1γ则接近10nm。

该款DRAM属于第五代10纳米技术，主要用于HBM3E内存类型。尽管三星曾考虑回归前代1a DRAM以解决这些问题，然而英伟达对此依然坚持要求使用1b DRAM ...

然而，由于上述问题的存在，三星一度考虑放弃1b DRAM，转而使用其前代产品1a DRAM来生产HBM3E 8H和12H，并计划跳过1b DRAM，直接使用1c DRAM生产HBM4。